[发明专利]表膜和表膜组件有效
| 申请号： | 201680082151.3 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108885391B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | D·F·弗莱斯;E·A·阿贝格;A·本迪克塞;德克·S·G·布龙;P·K·果维欧;保罗·詹森;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;M·A·范德柯克霍夫;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;J·N·威利 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F7/20;G03F1/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种适合与用于光刻设备的图案形成装置一起使用的表膜。所述表膜包括至少一个破裂区域，配置成在光刻设备中的正常使用期间在表膜的剩余区域破裂之前优先破裂。至少一个破裂区域包括表膜的在与表膜的周围区域相比时具有减小的厚度的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司，未经ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680082151.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
