[发明专利]使用反熔丝存储器阵列的PUF值生成有效

专利信息
申请号: 201680082255.4 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108701486B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: G·格里戈里耶夫;R·加夫里洛夫;O·伊瓦诺夫 申请(专利权)人: 美商新思科技有限公司
主分类号: G11C17/18 分类号: G11C17/18;G11C17/16
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;崔卿虎
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种方法和系统用于生成针对物理不可克隆功能(PUF)的随机值以用于加密应用。PUF值生成装置包括两个基于电介质击穿的反熔丝和连接在反熔丝与电源轨之间的至少一个限流电路。两个反熔丝并联连接以用于通过同时向两个反熔丝施加高电压来进行在编程中的值生成。在高电压应力下的电介质击穿时间具有随机性质,并且因此对于每个反熔丝单元是唯一的。因此,击穿的随机时间引起一个单元在另一单元之前损坏,从而引起通过损坏的单元的高击穿电流。一旦建立通过一个损坏或编程的单元的高击穿电流,跨限流电路的电压降导致跨两个单元的电压降低,从而减慢第二单元中的时间相关击穿过程并且防止其在编程条件下损坏。
搜索关键词: 使用 反熔丝 存储器 阵列 puf 生成
【主权项】:
1.一种物理不可克隆功能(PUF)值生成系统,包括:一对基于电介质击穿的反熔丝存储器单元,每个反熔丝存储器单元具有彼此电耦合以用于接收第一电压的第一端子和彼此电耦合以用于接收第二电压的第二端子,以启用同时对两个反熔丝存储器单元的编程;以及限流电路,被配置为在编程操作期间在所述第二端子耦合到所述第二电压时将所述第一电压耦合到所述第一端子,所述限流电路被配置为当在所述编程操作期间所述一对反熔丝存储器单元中的第一反熔丝存储器单元形成导电链路以从所述限流电路向所述第二端子传导电流时,在所述第一电压与所述第一端子之间提供电压差,以抑制对所述一对反熔丝存储器单元中的第二反熔丝存储器单元的编程。
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