[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201680082698.3 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108701624B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 川崎裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体晶片(1)形成多个半导体元件(5)。在对多个半导体元件(5)进行划分的切割线(6、7)之上形成膜厚测量用配线图案(3、4)。在半导体元件(5)及膜厚测量用配线图案(3、4)之上形成SOG膜(10)。对膜厚测量用配线图案(3、4)的中央部之上的SOG膜(10)的膜厚进行测量。膜厚测量用配线图案(3、4)是长边与切割线(3、4)平行的长方形图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在半导体晶片形成多个半导体元件的工序；在对所述多个半导体元件进行划分的切割线之上形成膜厚测量用配线图案的工序；在所述半导体元件及所述膜厚测量用配线图案之上形成SOG膜的工序；以及对所述膜厚测量用配线图案的中央部之上的所述SOG膜的膜厚进行测量的工序，所述膜厚测量用配线图案是长边与所述切割线平行的长方形图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
