[发明专利]具有热性能提升的晶体管有效
| 申请号： | 201680083019.4 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108780813B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李呈光;W·M·哈菲兹;J·朴;C-H·简;张旭佑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于形成具有增强的热性能的技术。增强热性能可以源自于包括与晶体管相邻的热提升材料，其中，所述材料可以是基于正在形成的晶体管类型选择的。就PMOS器件而言，相邻热提升材料可以具有高正线性热膨胀系数(CTE)(在大约20℃高于5ppm/℃)，并且因而随着工作温度升高而膨胀，由此在相邻晶体管的沟道区上诱发压缩应变并增大载流子(例如，空穴)迁移率。就NMOS器件而言，相邻热提升材料可以具有负线性CTE(在大约20℃低于0ppm/℃)，并且因而随着工作温度升高而收缩，由此在相邻晶体管的沟道区上诱发拉伸应变并增大载流子(例如，电子)迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 性能 提升 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：晶体管，其包括：沟道区；处于所述沟道区上方的栅极堆叠体；以及与所述沟道区相邻的源极和漏极(S/D)区；以及与所述S/D区中的一个相邻的第一材料，其中，与所述第一材料相邻的所述S/D区处于所述第一材料和所述沟道区之间，并且其中，所述第一材料具有线性热膨胀系数(CTE)值，所述线性热膨胀系数(CTE)值在大约20℃高于5ppm/℃或者低于0ppm/℃。
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