[发明专利]用于减小电容和电阻的晶体管栅极沟槽工程有效
| 申请号： | 201680083048.0 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108713254B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | S·H·宋;W·拉赫马迪;J·T·卡瓦列罗斯;H·W·田;M·拉多萨夫列维奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于晶体管栅极沟槽工程的技术以减小电容和电阻。可以在晶体管栅极的任一侧上形成侧壁间隔体，有时称为栅极间隔体或更一般的间隔体，以帮助降低栅极‑源极/漏极电容。这样的间隔体可以在从间隔体之间去除虚设栅极材料之后界定栅极沟槽，以在例如替换栅极工艺期间形成栅极沟槽区域。在一些情况下，为了减小栅极沟槽区内部的电阻，可以进行蚀刻以形成多层栅极或栅极电极，其中该多层栅极包括第一金属和第一金属上方的第二金属，其中第二金属包括比第一金属更低的电阻率性质。在一些情况下，为了减小晶体管栅极沟槽内部的电容，可以执行技术以在栅极沟槽侧壁上形成低k电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 电容 电阻 晶体管 栅极 沟槽 工程 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：栅极叠置体，其包括栅极电介质和金属栅极，所述栅极电介质包括高k电介质材料，所述金属栅极包括具有第一电阻率的第一金属层和具有小于所述第一电阻率的第二电阻率的第二金属层，其中，所述第二金属层位于所述第一金属层上方；间隔体，其与所述栅极叠置体的两侧相邻，其中，所述第一金属层不在所述间隔体中的任一个和所述第二金属层之间；沟道区，其位于所述栅极叠置体下方，其中，所述栅极电介质位于所述沟道区和所述金属栅极之间；以及源极和漏极(S/D)区，其与所述沟道区相邻。
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