[发明专利]硅氮化膜的制造方法及硅氮化膜

摘要

作为目的之一提供一种硅氮化膜的制造方法，该硅氮化膜的制造方法为在控制到250℃以下的基板上具有高的耐氢氟酸性、高耐湿性、以及适当的内部应力的硅氮化膜的制造方法，本发明提供一种硅氮化膜(30)的制造方法，将有机硅烷气体作为原料气体，在温度250℃以下的基板(20)上通过等离子体化学气相沉积法制造具有规定的耐氢氟酸性、耐湿性以及内部应力的硅氮化膜(30)，其特征在于，使用对于1体积流量的有机硅烷气体添加了200～2000体积流量的氢还原气体的处理气体，将收容基板(20)的工艺腔室(40)内的压力调整为35～400Pa的范围内，将对设置于工艺腔室(40)内的电极施加的高频的功率密度调整为0.2～3.5W/cm2的范围内。

主权项

1.一种硅氮化膜的制造方法，其特征在于，将有机硅烷气体作为原料气体，在温度250℃以下的基板上通过等离子体化学气相沉积法制造具有下述(a)～(c)示出的膜特性的硅氮化膜，使用对于1体积流量的有机硅烷气体添加了200～2000体积流量的氢还原气体的处理气体，将收容所述基板的工艺腔室内的压力调整为35～400Pa的范围内，将对设置于所述工艺腔室内的电极施加的高频的功率密度调整为0.2～3.5W/cm2的范围内，(a)利用氢氟酸溶液的被蚀刻速率为10nm/min以下(b)在暴露于208kPa、121℃的饱和水蒸气气氛的期间内产生的硅氧化物的生成速度以硅氧化膜换算为2nm/hr以下(c)膜中的内部应力在‑1000～1000MPa的范围内。