[发明专利]半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201680083490.3 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN108834429B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 中山雅则;竹岛雄一郎;井川博登;舟木克典 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H10B43/27;H10B41/27;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种技术，进行如下工序：准备基板的工序，所述基板形成有具有与硅氧化膜的接触面和与上述接触面相对的露出面的多晶硅膜；和向上述多晶硅膜的露出面供给通过对含有氢原子和氧原子的气体进行等离子体激发而生成的反应种的工序。由此，在半导体设备的制造工序中，抑制对基底的硅氧化膜的损伤，并提高多晶硅膜的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 记录 介质 以及 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具备：准备形成有多晶硅膜的基板的工序，所述多晶硅膜在硅氧化膜上形成，并具有与所述硅氧化膜的接触面和与所述接触面相对的露出面；向上述多晶硅膜的露出面供给通过对含有氢原子和氧原子的气体进行等离子体激发而生成的反应种的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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