[发明专利]包含半导体纳米晶体的复合物和其制备方法在审

专利信息
申请号: 201680083691.3 申请日: 2016-03-30
公开(公告)号: CN108779391A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 吕博;王秀艳;黄焱;任小凡;J·朱;朱平 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 徐舒
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种在不显著降低半导体纳米晶体的量子产率的情况下制备半导体纳米晶体‑硅酸盐复合物的方法,由所述方法制备的复合物和包含所述复合物的膜和电子装置。
搜索关键词: 半导体纳米晶体 复合物 制备 硅酸盐复合物 电子装置 产率 量子
【主权项】:
1.一种制备半导体纳米晶体‑硅酸盐复合物的方法,所述方法包含:(i)提供溶胶凝胶硅酸盐溶液,其中所述溶胶凝胶硅酸盐是以下的反应产物:具有结构Si(OR1)4的第一硅烷,其中R1选自经取代或未经取代的C1‑C8烷基或经取代或未经取代的C1‑C8杂烷基;和具有结构R2SiR3n(OR4)3‑n的第二硅烷,其中n是选自0、1和2的整数;R2和R3各自独立地选自氢、经取代或未经取代的C1‑C36烷基、经取代或未经取代的C1‑C36杂烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的炔基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳香基、脂肪族环基、杂环基或杂芳香基;并且R4选自经取代或未经取代的C1‑C8烷基或经取代或未经取代的C1‑C8杂烷基;其中所述溶胶凝胶硅酸盐的数均分子量是500或更高;(ii)将半导体纳米晶体与所述溶胶凝胶硅酸盐溶液混合以形成混合物;(iii)干燥所述混合物或使所述混合物干燥以提供所述复合物;以及(iv)任选地研磨所述复合物。
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