[发明专利]用于垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构在审
| 申请号： | 201680084322.6 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108886092A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | D.G.奥埃莱特;C.J.韦冈德;MD.T.拉曼;B.梅尔茨;O.戈隆兹卡;J.S.布罗克曼;K.P.奥布赖恩;B.S.多伊尔;K.奥古茨;T.加尼;M.L.多齐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述用于垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构。在示例中，存储器结构包括设置在衬底上方的垂直磁隧道结(pMTJ)元件。横向应变诱导材料层设置在pMTJ元件上。层间介电(ILD)层与pMTJ元件和横向应变诱导材料层两者横向相邻地设置。ILD层具有与横向应变诱导材料层的最上表面共面或者基本上共面的最上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直磁隧道 横向应变 诱导材料 上表面 存储器结构 层间介电 横向相邻 结构描述 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，包括：垂直磁隧道结(pMTJ)元件，所述pMTJ元件设置在衬底上方；横向应变诱导材料层，所述横向应变诱导材料层设置在所述pMTJ元件上；以及层间介电(ILD)层，所述ILD层与所述pMTJ元件和所述横向应变诱导材料层两者横向相邻地设置，所述ILD层具有与所述横向应变诱导材料层的最上表面共面或基本上共面的最上表面。
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