[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201680084340.4 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN108885892B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 山田康利;泷下隆治 申请(专利权)人: 超极存储器股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 袁波;刘继富
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的是实现不会使DRAM的芯片面积大幅增大并解决RowHammer问题的结构。一种半导体存储装置包含:存储器部,其具有多个存储单元;地址锁存部,其接收激活指令和其地址,每次接收激活指令时将地址进行锁存并保持;刷新控制部,其在接收到刷新指令的情况下,向存储器访问控制部指示常规刷新工作,并且向存储器访问控制部指示针对所述地址锁存部锁存了的地址的附近的地址的中断刷新工作;以及存储器访问控制部,其基于来自刷新控制部的指示,对存储器部执行常规刷新工作和中断刷新工作。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包含:存储器部,其具有多个存储单元;地址锁存部,其对地址和应用于由所述地址指定的所述存储单元的激活指令进行接收,在每次接收所述激活指令时对在接收到所述激活指令时的地址进行连续锁存;刷新控制部,其在接收到刷新指令的情况下,指示存储器访问控制部对所述存储器部执行基于所述刷新指令的常规刷新工作,并且指示所述存储器访问控制部对所述地址的附近的地址执行中断刷新工作,所述中断刷新工作是基于所述地址锁存部锁存了的所述地址的刷新工作;以及所述存储器访问控制部,其基于来自所述刷新控制部的指示,对所述存储器部执行所述常规刷新工作和所述中断刷新工作。
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