[发明专利]使用FET对的双轨电路有效
申请号: | 201680085278.0 | 申请日: | 2016-07-17 |
公开(公告)号: | CN109075791B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | M·R·杜伦;R·C·布鲁克斯 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张健;陈岚 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 示例实现方式涉及使用FET对的双轨电路。例如,根据本公开的电路可以包括耦合到双轨电路的第一场效应晶体管(FET)对、耦合到所述双轨电路的第二FET对以及耦合到所述第一FET对和所述第二FET对的控制器。所述控制器可以使用所述第一FET对和所述第二FET对来切换电源到所述双轨电路。所述双轨电路可以将电源从耦合到所述第一FET对的第一电源或耦合到所述第二FET对的第二电源提供到计算设备。 | ||
搜索关键词: | 使用 fet 双轨 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电路,包括:第一场效应晶体管(FET)对,耦合到双轨电路;第二FET对,耦合到所述双轨电路;以及控制器,耦合到所述第一FET对和所述第二FET对,所述控制器要使用所述第一FET对和所述第二FET对来切换电源到所述双轨电路;其中所述双轨电路要将电源从耦合到所述第一FET对的第一电源或耦合到所述第二FET对的第二电源提供到计算设备。
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