[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质在审
| 申请号： | 201680085628.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109196623A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 广地志有;柳泽爱彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/02;H01L21/20;H05B6/68 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;金慧善 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种技术，具有：加热装置，其使用电磁波对基板进行加热；非接触式温度测量装置，其测量上述基板的温度；控制部，其获取由上述温度测量装置测量出的温度数据，并进行上述温度数据与预先设定的作为阈值的上限温度和下限温度的比较，在上述温度数据高于上述上限温度的情况下，或者，上述温度数据低于上述下限温度的情况下，控制为降低上述加热装置的输出或者关闭上述加热装置的电源。由此，能够提供能够抑制基板的变形或者破损的电磁波热处理技术。 | ||
| 搜索关键词： | 温度数据 加热装置 温度测量装置 电磁波 测量 基板处理装置 半导体装置 热处理技术 非接触式 对基板 抑制基 基板 加热 破损 变形 电源 输出 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：加热装置，其使用电磁波对基板进行加热；非接触式温度测量装置，其测量上述基板的温度；以及控制部，其获取由上述温度测量装置测量出的温度数据，并进行上述温度数据与预先设定的上限温度和下限温度的比较，在上述温度数据高于上述上限温度的情况下，或者，上述温度数据低于上述下限温度的情况下，控制为降低上述加热装置的输出或者关闭上述加热装置的电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
