[发明专利]功率用半导体装置有效
| 申请号： | 201680085939.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN109155305B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 福优;别芝范之;石井隆一;山田隆行;三井贵夫;林功明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/3205;H01L21/52;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 熊风;胡秋瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种功率用半导体装置，其特征在于，包括：经由金属烧结体与绝缘基板的一个主面相接合的半导体元件；经由焊料与所述绝缘基板的另一主面相接合的铝制的冷却器；设置于所述半导体元件的与所述绝缘基板的接合面相反侧的面的上侧电极和保护膜；以及经由焊料与所述上侧电极相接合的引线，所述保护膜配置成与所述上侧电极的周缘端部相接，厚度尺寸小于所述上侧电极，且与所述上侧电极相接的端部具有相对于所述半导体元件的面不足90度的倾斜面，所述上侧电极的所述周缘端部骑上包含所述倾斜面的所述保护膜的所述端部。
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