[发明专利]ESD装置的触点阵列优化有效
| 申请号： | 201680086161.4 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109196648B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 林和;陈昆;吴超;王德宁;L·施普林格;A·斯特罗恩;薛刚 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种针对ESD装置(100)的触点阵列优化方案(200)。可在大小、形状、放置等方面选择性地修改穿过有源区域(126/128、134)之上的金属前电介质层(195)图案化的触点孔口(191A/191B)，以在标准ESD评分测试中增加ESD保护性能，例如将瞬变电流密度最大化等。 | ||
| 搜索关键词： | esd 装置 触点 阵列 优化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造方法，其包括：根据选定工艺技术，在半导体衬底中形成有源区域作为静电放电ESD保护电路的一部分；在所述有源区域之上形成电介质层；使所述电介质层图案化以限定与所述有源区域重叠的触点孔口，所述触点孔口各自具有基于所述ESD保护电路的ESD保护参数的大小；以及沉积金属组合物来填充所述触点孔口，以提供所述有源区域与沉积在所述电介质层之上的金属层之间的导电路径。
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