[发明专利]场效应晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201680086216.1 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN109196651B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 秦旭东;徐慧龙;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 范华英;毛威 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种场效应晶体管结构及其制作方法，该场效应晶体管结构包括：底栅电极；底栅介质层；纳米条带沟道层，所述纳米条带沟道层是由多个平行间隔开的双层石墨烯纳米条带构成，所述纳米条带沟道层覆盖于所述底栅介质层的上表面，且与所述底栅介质层的上表面接触；源极和漏极；顶栅介质层；顶栅电极。本发明实施例提供的场效应晶体管结构及其制作方法，能够在不牺牲器件开态电流的情况下，有效地减少栅介质电荷中心的影响，使器件能够有较好地关断，提升器件开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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