[发明专利]具有大动态范围的图像感测器有效
申请号: | 201680086484.3 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN109478553B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳源光科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 孟丽平 |
地址: | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本文公开这样的系统,其包括:雪崩光电二极管(APD)(142,242,511,611);偏压源(140,240),其配置成向APD(142,242,511,611)供应反向偏压;电流计(143,243),其配置成测量通过APD(142,242,511,611)的电流;控制器(145,245),其配置成在APD(142,242,511,611)上入射的光的强度高于阈值时使反向偏压从高于击穿电压的值减少到低于APD(142,242,511,611)的击穿电压的值,并且配置成在反向偏压低于击穿电压时基于通过APD(142,242,511,611)的电流确定高于阈值的光强度。 | ||
搜索关键词: | 具有 动态 范围 图像 感测器 | ||
【主权项】:
1.一种系统,其包括:雪崩光电二极管(APD);偏压源,其配置成向所述APD供应反向偏压;电流计,其配置成测量通过所述APD的电流;控制器,其配置成在所述APD上入射的光的强度高于阈值时使所述反向偏压从高于击穿电压的值减少到低于所述APD的击穿电压的值,并且配置成在所述反向偏压低于所述击穿电压时基于通过所述APD的电流确定高于所述阈值的光强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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