[发明专利]薄膜堆叠体有效
| 申请号： | 201680086836.5 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109414932B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈之章;M·S·沙拉维;J·塞尔斯 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | B41J2/135 | 分类号： | B41J2/135;C23C4/04;C23C4/134;B41J2/335;B41J2/345 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马蔚钧;杨思捷 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜堆叠体可以包括厚度为200埃至5000埃的金属基底和以600埃至1650埃的厚度设置在该金属基底上的钝化阻挡层。该钝化阻挡层可以包括介电层和设置在该介电层上的原子层沉积(ALD)层。该介电层可以具有550至950埃的厚度。该ALD层可以具有50至700埃的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 堆叠 | ||
【主权项】：
1.薄膜堆叠体，包括：厚度为200埃至20,000埃的金属基底；和以600埃至1650埃的厚度设置在所述金属基底上的钝化阻挡层，所述钝化阻挡层包括：厚度为550至950埃的介电层，和设置在所述介电层上的ALD层，即厚度为50至700埃的金属氧化物层。
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