[发明专利]半导体晶片处理装置

摘要

一种空间原子层沉积装置(10)，包括具有喷头侧部(18)的喷头(16)，该喷头侧部具有中心、中心区域和圆周区域。该装置还包括具有基板支撑侧部的基座(12)，该基板支撑侧部平行于喷头侧部并与喷头侧部相对地延伸，以形成间隙。基座和喷头可围绕旋转轴线相对于彼此旋转。该装置具有多个可切换喷头部段。该装置还包括多个多通阀组件。每个可切换喷头部段与多个多通阀组件中的一个流体连接，以便将多个不同气体源中的选定的一个与一个可切换喷头部段流体连接。

主权项

1.一种空间原子层沉积装置(10)，其中，所述SALD装置(10)包括：基座(12)，所述基座具有基板支撑表面(14)，基板能够放置在所述基板支撑表面上；以及喷头(16)，所述喷头具有喷头侧部(18)，所述喷头侧部基本上平行于所述基板支撑表面(14)延伸，以在所述基板支撑表面(14a)和所述喷头侧部(18)之间形成间隙(20)；其中，所述基座(12)和所述喷头(16)能够围绕旋转轴线(A)相对于彼此旋转，所述旋转轴线与所述喷头(16)的中心相交并且基本上垂直于所述基板支撑表面(14)延伸；其中，所述喷头(16)包括多个气体通道(64，68；96’)，其中，每个气体通道与所述喷头(16)中的、通入到所述间隙(20)中的至少一个喷头开口(22)流体连接，以用于将气体供应到所述间隙(20)中和/或将气体从所述间隙排出，其中，每个气体通道与流体连接到所述气体通道的至少一个开口(22)限定出喷头部段(s1‑s12)，使得所述喷头(16)包括多个喷头部段(s1‑s12)；其中，所述SALD装置包括多个多通阀组件(24)，每个多通阀组件(24)流体连接到所述喷头(16)的多个气体通道中的一个气体通道(64，68；96’)，其中，每个多通阀组件(24)是可切换的以使流体连接到所述多通阀组件(24)的相应的气体通道(64，68；96’)与供应不同类型气体的多个不同气体源(28，30，32，34)中的选定的一个气体源流体连接。