[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680087243.0 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109478517B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 山崎浩次;加东智明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/13 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体晶片上通过蒸镀来依次形成密合性提高膜(2)、Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)；对半导体晶片进行切割来得到半导体元件(1)；在基板(6)上通过蒸镀来依次形成Ni膜(7)和Au膜(5)；以及在将形成在半导体元件(1)上的Au膜(5)与形成在基板(6)上的Au膜(5)面对面地层叠之后，进行加热来接合。在由Pt膜(3)、Sn膜(4)以及Au膜(5)构成的金属层叠膜中，Pt膜(3)为5质量％以上且小于10质量％，Au膜(5)为51质量％以上且小于75质量％，Sn膜(4)是剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体晶片上通过蒸镀来依次形成密合性提高膜、Pt膜、Sn膜以及Au膜的工序，在由所述Pt膜、所述Sn膜以及所述Au膜构成的金属层叠膜中，所述Pt膜为5质量％以上且小于10质量％，所述Au膜为51质量％以上且小于75质量％，所述Sn膜为剩余部分；对所述半导体晶片进行切割来得到半导体元件的工序；在基板上通过蒸镀来依次形成Ni膜和Au膜的工序；以及在将形成在所述半导体元件上的所述Au膜与形成在所述基板上的所述Au膜面对面地层叠之后，进行加热来接合的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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