[发明专利]用于机动车辆的转向机构的电动机的MOSFET死区时间优化有效
| 申请号： | 201680088590.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN109641613B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 加博尔·欧尔道希 | 申请（专利权）人： | 蒂森克虏伯普利斯坦股份公司;蒂森克虏伯股份公司 |
| 主分类号： | B62D5/04 | 分类号： | B62D5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨华 |
| 地址： | 列支敦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于机电式机动车辆动力转向机构或线控转向系统中的电动机(9)的电动机控制器(10)的逆变器(13)中的MOSFET(14，14'，14”)的死区时间优化的方法，其中，逆变器(13)包括至少两个MOSFET(14，14'，14”)：高侧MOSFET(14')和低侧MOSFET(14”)，并且其中，电动机控制器(10)利用具有至少一个或更多个死区时间(Td1，Td2)的栅极驱动器信号来控制该至少两个MOSFET(14，14'，14”)，死区时间(Td1，Td2)表示MOSFET(14，14'，14”)的用于从一个MOSFET(14，14'，14”)切换至串联连接的另一个MOSFET(14，14'，14”)的时间。该方法包括以下步骤：在电流测量单元(15)中测量高侧MOSFET(14')与低侧MOSFET(14”)之间的交叉导通；如果交叉导通发生，则增加死区时间(Td1，Td2)；否则减少死区时间(Td1，Td2)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 机动车辆 转向 机构 电动机 mosfet 死区 时间 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于机动车辆的机电式机动车辆动力转向机构或线控转向系统中的电动机(9)的电动机控制器(10)的逆变器(13)中的MOSFET(14，14'，14”)的死区时间优化的方法，其中，所述逆变器(13)包括至少两个MOSFET(14，14'，14”)：高侧MOSFET(14')和低侧MOSFET(14”)，并且其中，所述电动机控制器(10)利用具有至少一个或更多个死区时间(Td1，Td2)的栅极驱动器信号来控制所述至少两个MOSFET(14，14'，14”)，所述死区时间(Td1，Td2)表示所述MOSFET(14，14'，14”)的用于从一个MOSFET(14，14'，14”)切换至串联连接的另一个MOSFET(14，14'，14”)的时间，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在电流测量单元(15)中测量高侧MOSFET(14')与低侧MOSFET(14”)之间的交叉导通；如果交叉导通(IS)发生，则增加所述死区时间(Td1，Td2)；否则减少所述死区时间(Td1，Td2)。
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