[发明专利]MOSFET以及电力转换电路有效
| 申请号： | 201680088772.2 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN109729743B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 新井大辅;北田瑞枝 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的MOSFET100的特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114、p型柱形区域116、基极区域118、以及源极区域120，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构；沟槽122，具有侧壁以及底部；栅电极126，经由栅极绝缘膜124形成在沟槽122内；载流子补偿电极128，位于栅电极126与沟槽122的底部之间；绝缘区域130，将载流子补偿电极128与侧壁以及底部分离；以及源电极132，在与源极区域120电气连接的同时也与载流子补偿电极128电气连接。根据本发明的MOSFET100，即便栅极周围的电荷平衡存在变动，也能够将关断MOSFET后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 以及 电力 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET，其特征在于，包括：半导体基体，具有在交互排列状态下形成的n型柱形区域以及p型柱形区域、位于所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域的表面的p型基极区域、以及位于所述基极区域的表面的n型源极区域，并且由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构；沟槽，从平面看形成在所述n型柱形区域所在的区域内，并且具有与所述n型柱形区域、所述基极区域以及所述源极区域相邻接的侧壁、以及与所述n型柱形区域相邻接的底部；栅电极，经由栅极绝缘膜形成在所述沟槽内；载流子补偿电极，位于所述栅电极与所述沟槽的所述底部之间；所述沟槽内的绝缘区域，延展于所述栅电极与所述载流子补偿电极之间，并且沿所述沟槽的所述侧壁以及所述底部延展从而将所述载流子补偿电极与所述侧壁以及所述底部分离；以及源电极，位于所述半导体基体的第一主面侧的表面上，并且在与所述源极区域电气连接的同时也与所述载流子补偿电极电气连接。
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