[发明专利]金属粒子的融合有效
| 申请号： | 201680089316.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109715319B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 克日什托夫·瑙考 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | B22F3/12 | 分类号： | B22F3/12;C04B35/653;C22C1/02;C22C33/04;B29C64/153;B29C64/393;B33Y50/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董均华;刘茜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据示例，设备可以包括处理器和存储指令的存储器。该指令可使处理器控制至少一个能量源，将特定低能级的能量施加到金属粒子层上，其中金属粒子具有微米级尺寸，并且其中特定低能级的施加可烧结金属粒子并可使相邻的几个金属粒子之间形成物理连接。该指令还可以使处理器控制至少一个能量源，将特定高能级的能量施加到金属粒子层上，其中特定高能级能量的施加可以熔化并融合所烧结的金属粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 粒子 融合 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：处理器；和存储器，在所述存储器上存储的指令用来使所述处理器：控制至少一个能量源，将特定低能级的能量施加到金属粒子的层上，其中所述金属粒子具有微米级尺寸，并且其中所述特定低能级的施加烧结所述金属粒子，并使相邻的几个所述金属粒子之间形成物理连接；和控制所述至少一个能量源，将特定高能级的能量施加到金属粒子的所述层上，其中所述特定高能级能量的施加熔化并融合所烧结的金属粒子。
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