[发明专利]具有单电子晶体管检测器的量子点器件有效

专利信息
申请号: 201680089743.8 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN109791943B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: H.C.乔治;R.皮拉里塞蒂;N.K.托马斯;J.M.罗伯茨;J.S.克拉克 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;H01L29/78;H01L29/80
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;张金金
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开了具有单电子晶体管(SET)检测器的量子点器件。在一些实施例中,量子点器件可包含:量子点形成区域;设置在量子点形成区域上的一组栅极,其中该组栅极至少包含第一、第二和第三栅极,间隔物设置在第一栅极和第二栅极的多侧上,其中第一间隔物设置在第一栅极接近于第二栅极的一侧上,并且与第一间隔物物理分离的第二间隔物设置在第二栅极接近于第一栅极的一侧上,并且第三栅极设置在第一栅极和第二栅极之间,并在第一间隔物和第二间隔物之间延伸;以及接近于该组栅极设置在量子点形成区域上的SET。
搜索关键词: 具有 电子 晶体管 检测器 量子 器件
【主权项】:
1.一种器件,包括:量子点器件的量子点形成区域;一组栅极,该组栅极设置在所述量子点形成区域上,其中:该组栅极至少包含第一栅极、第二栅极和第三栅极,间隔物设置在所述第一栅极和第二栅极的多侧上,其中第一间隔物设置在所述第一栅极接近于所述第二栅极的一侧上,并且与所述第一间隔物物理分离的第二间隔物设置在所述第二栅极接近于所述第一栅极的一侧上;并且所述第三栅极设置在所述第一栅极和第二栅极之间,并在所述第一间隔物和第二间隔物之间延伸;以及单电子晶体管(SET),所述单电子晶体管接近于该组栅极设置在所述量子点形成区域上。
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