[发明专利]电子束装置有效

专利信息
申请号: 201680089774.3 申请日: 2016-10-13
公开(公告)号: CN109804450B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 糟谷圭吾;荒井纪明;楠敏明;大岛卓;桥诘富博;酒井佑辅 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01J37/073 分类号: H01J37/073;H01J1/30;H01J9/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下,也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中,CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物,六硼化物从{310}面发射电子束,{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
搜索关键词: 电子束 装置
【主权项】:
1.一种电子束装置,具备冷阴极场致发射电子源,其特征在于,所述冷阴极场致发射电子源的电子束的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物,所述六硼化物从{310}面发射电子束,所述{310}面的所述镧系元素金属的原子数比由所述{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
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