[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680090353.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN109923645B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 上野隆二;砂本昌利 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供能够对上方配置有镍膜的半导体基板的污染进行抑制的技术。半导体装置具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于铝合金膜上方，且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于铝合金膜和催化剂金属膜之间，且包含催化剂金属膜的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：半导体基板；铝合金膜，其配置于所述半导体基板的表面以及背面中的至少任意一个面之上；催化剂金属膜，其配置于所述铝合金膜上方且具有能够进行析出镍的自催化反应的催化活性；无电解镍镀膜，其配置于所述催化剂金属膜之上；以及反应物层，其配置于所述铝合金膜和所述催化剂金属膜之间且包含所述催化剂金属膜的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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