[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201680090392.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110121787B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 渡部武纪;三田怜;桥上洋;大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 变换 效率 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有前述第一导电型的基极层，及邻接于前述基极层且具有与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于前述基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其特征在于：前述基极集电电极的一部分亦配置于前述射极层上，此射极层邻接于配置有该基极集电电极的前述基极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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