[发明专利]微发光二极管转移方法和制造方法有效
申请号: | 201680090519.0 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN109923680B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 邹泉波 | 申请(专利权)人: | 歌尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 石伟 |
地址: | 261031 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种微发光二极管转移方法和制造方法。所述微发光二极管转移方法包括:使转移头的拾取单元(305,605,705)与承载衬底(301,601,701)上的微发光二极管(303,603,703)接触,其中所述拾取单元(305,605,705)能为微发光二极管(303,603,703)加载电流;通过拾取单元(305,605,705)向微发光二极管加载电流,以获得微发光二极管(303,603,703)的I‑V特性;基于I‑V特性确定已知良好管芯的微发光二极管;以及使用转移头从承载衬底向接收衬底(307,608,708)转移已知良好管芯的微发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 转移 方法 制造 | ||
【主权项】:
1.一种微发光二极管转移方法,包括:使转移头的拾取单元与承载衬底上的微发光二极管接触,其中所述拾取单元能为微发光二极管加载电流;通过拾取单元向微发光二极管加载电流,以获得微发光二极管的I‑V特性;基于I‑V特性确定已知良好管芯的微发光二极管;以及使用转移头从承载衬底向接收衬底转移已知良好管芯的微发光二极管。
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