[发明专利]高光电转换效率太阳能电池的制造方法及高光电转换效率太阳能电池有效
| 申请号： | 201680090735.5 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110121788B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L21/324;H01L31/18;H01L31/02;H01L21/67;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 效率 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，其特征在于包含：将前述单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将前述单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；及将前述单结晶硅基板加热的加热步骤；及将前述单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将前述单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在前述高温热处理步骤之中，将通过前述搬运步骤及前述加热步骤而使前述单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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