[发明专利]具有晶片级有源管芯和外部管芯底座的半导体封装在审
| 申请号： | 201680091229.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109983570A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | V.V.梅塔;E.J.李;S.加内桑;D.马利克;R.L.桑克曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/00;H01L23/525;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高苇娟;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有硅晶片上的有源管芯和外部管芯底座的半导体封装和封装组件，以及制作这样的半导体封装和封装组件的方法。在示例中，半导体封装组件包括具有通过第一焊料凸块而附接到硅晶片的有源管芯的半导体封装。第二焊料凸块在硅晶片上从有源管芯横向向外以提供用于外部管芯的底座。环氧树脂层可以围绕有源管芯并且覆盖硅晶片。孔可以在第二焊料凸块上方贯穿环氧树脂层以通过该孔暴露第二焊料凸块。因此，外部存储器管芯可以通过该孔而直接连接到硅晶片上的第二焊料凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料凸块 硅晶片 源管 半导体封装 外部管 环氧树脂层 封装组件 芯底座 半导体封装组件 外部存储器 晶片级 管芯 底座 暴露 贯穿 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：具有从顶部表面延伸到底部表面的晶片通孔的硅晶片；顶部表面上的第一焊料凸块和第二焊料凸块；安装在硅晶片上的有源管芯，其中有源管芯通过第一焊料凸块而附接到硅晶片；以及横向围绕有源管芯并且在顶部表面之上的环氧树脂层，其中环氧树脂层包括从有源管芯横向向外贯穿环氧树脂层的孔，并且其中第二焊料凸块通过所述孔暴露。
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