[发明专利]具有增强的垂直各向异性的垂直自旋转移矩存储器(pSTTM)器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201680091261.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110024148A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·T·拉赫曼;C·J·维甘德;K·奥乌兹;D·G·韦莱特;B·梅茨;K·P·奥布莱恩;M·L·多齐;B·S·多伊尔;O·戈隆茨卡;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于pSTTM器件的材料层堆叠体包括固定磁性层，设置在固定磁性层上方的隧道势垒和设置在隧道势垒上的自由层。自由层还包括双层的堆叠体，其中，最上面的双层由包括铁的磁性层覆盖，并且其中，自由层中的每一个双层包括设置在磁性层上的诸如钨、钼的非磁性层。在实施例中，非磁性层具有的组合厚度小于双层的堆叠体中的磁性层的组合厚度的15％。包括自由层中的非磁性层的双层的堆叠体可以降低用于pSTTM器件的材料层堆叠体的饱和磁化，并且随后增加垂直磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠体 自由层 非磁性层 磁性层 固定磁性层 隧道势垒 材料层 垂直 自旋转移矩存储器 垂直磁各向异性 饱和磁化 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种用于pSTTM器件的材料层堆叠体，所述材料层堆叠体包括：固定磁性层；设置在所述固定磁性层上方的隧道势垒；以及设置在所述隧道势垒上的自由层，其中，所述自由层包括双层的堆叠体，其中，最上面的双层由磁性层覆盖，其中，每一个所述双层包括设置在磁性层上的非磁性层，并且其中，所述双层的堆叠体中的所述非磁性层具有的组合厚度小于所述双层的堆叠体中的所述磁性层的组合厚度的15％。
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