[其他]半导体功率器件有效
| 申请号： | 201690000836.4 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN209515677U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 萨尔曼·阿克拉姆;文卡特·阿南坦 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一般的方面，一种功率半导体器件可包括碳化硅(SiC)衬底以及设置在所述SiC衬底上的SiC外延层。所述器件还可包括设置在所述SiC外延层中的阱区以及设置在所述阱区中的源极区。所述器件还可包括设置在所述SiC外延层中并与所述源极区相邻的栅极沟槽，所述栅极沟槽的深度大于所述阱区的深度并且小于所述SiC外延层的深度。所述器件还可包括设置在所述栅极沟槽的侧壁以及所述栅极沟槽的底部表面上的混合栅极电介质。所述混合栅极电介质可包括第一高k介电材料和第二高k介电材料。所述器件还可包括设置在所述混合栅极电介质上的导电栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极沟槽 外延层 栅极电介质 阱区 高k介电材料 源极区 衬底 半导体功率器件 功率半导体器件 导电栅极 底部表面 电极 碳化硅 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的碳化硅SiC衬底，所述SiC衬底包括所述功率半导体器件的漏极区；设置在所述SiC衬底上的所述第一导电类型的SiC外延层，所述SiC外延层的掺杂浓度不同于所述SiC衬底的掺杂浓度；设置在所述SiC外延层中的第二导电类型的第一阱区；设置在所述SiC外延层中的所述第二导电类型的第二阱区；设置在所述第一阱区中的所述第一导电类型的第一源极区；设置在所述第二阱区中的所述第一导电类型的第二源极区；设置在所述SiC外延层上的栅极结构，所述栅极结构在所述第一源极区和所述第二源极区之间延伸，所述栅极结构被设置在所述第一源极区的一部分以及所述第二源极区的一部分上，所述栅极结构包括：混合栅极电介质，所述混合栅极电介质包括第一高k介电材料和第二高k介电材料；界面介电层，所述界面介电层设置在所述混合栅极电介质和所述SiC外延层之间，所述界面介电层包括热生长的二氧化硅SiO2层；和设置在所述混合栅极电介质上的导电栅极电极。
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