[其他]图像像素有效
| 申请号： | 201690001167.2 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN208093559U | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | M·米利纳尔;U·博提格;R·莫里兹森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/355 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种图像像素，其包括：内部子像素，所述内部子像素展示出第一光敏度；以及外部子像素组，所述外部子像素组包括至少一个子像素并展示出大于所述第一光敏度的第二光敏度，其中所述内部子像素嵌套在所述外部子像素组内。 | ||
| 搜索关键词： | 内部子像素 子像素组 光敏度 图像像素 外部 嵌套 本实用新型 子像素 展示 | ||
【主权项】：
1.一种图像像素，其特征在于，包括：内部子像素，所述内部子像素展示出第一光敏度；以及外部子像素组，所述外部子像素组包括至少一个子像素并展示出大于所述第一光敏度的第二光敏度，其中所述内部子像素嵌套在所述外部子像素组内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
