[发明专利]一种低压压敏陶瓷片及其制备方法有效
申请号: | 201710000618.1 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106673641B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 卢振亚;颜健;钟财富;陈志武 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;B32B18/00;B32B37/10;B32B38/18 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈文姬 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低压压敏陶瓷片,由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成,所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层;低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。本发明还公开了上述低压压敏陶瓷片的制备方法。本发明的低压压敏陶瓷片,具有低压敏电压、高非线性特性,又具有优良脉冲电流耐受能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 压压 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低压压敏陶瓷片,其特征在于,由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成,所述电压非线性陶瓷层的材料组成包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3和Al(NO3)3·9H2O,其中,Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3的加入量均为ZnO的0.3~0.6mol%;Al(NO3)3·9H2O的加入量为ZnO的0.04~0.06mol%;所述低电阻率导电陶瓷层的材料组成包括ZnO、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O和H3BO3,其中,Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3的加入量均为ZnO的0.3~0.6mol%;Al(NO3)3·9H2O加入量为ZnO的0.1~0.2mol%;H3BO3加入量为ZnO的0.04~0.06mol%;所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层,所述金属隔离层由银钯电极浆料制成;低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。
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