[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710001470.3 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106784015B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 占建英;张慧文;冯思林 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静;刘伟<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板及显示装置。所述薄膜晶体管包括与有源层的沟道区接触设置的导电图形，所述导电图形与源电极、漏电极绝缘设置。当薄膜晶体管导通时，位于源电极和导电图形之间的沟道区，以及位于漏电极和导电图形的沟道区形成导电沟道，而不是整个沟道区形成导电沟道，使沟道区的宽长比小于导电沟道的宽长比，较小的沟道区宽长比能够获得小的关态电流Ioff，较大的导电沟道的宽长比能够获得大的工作电流Ion，达到了同时优化Ion和Ioff的目的，提升了薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括设置在一基底上的有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源区、与所述漏电极接触的漏区，以及位于所述源区和漏区之间的沟道区，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述沟道区的表面接触的导电图形，所述导电图形与源电极、漏电极绝缘设置；/n当薄膜晶体管导通时，位于源电极和导电图形之间的沟道区，以及位于漏电极和导电图形的沟道区形成导电沟道，沟道区的宽长比小于导电沟道的宽长比。/n
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