[发明专利]一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法

摘要

本发明公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发明加固后的集成电路版图在粒子轰击NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态脉宽；且本发明仅涉及晶体管版图位置的改变，没有面积开销。

主权项

1.一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态版图加固方法，其特征包括以下步骤：提供一种纳米CMOS版图，包括NMOS晶体管、位于N阱中的PMOS晶体管、衬底接触和N阱接触，所述NMOS晶体管与所述衬底接触通过金属连接，所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管之间通过金属连接，所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管共用直线型的多晶硅栅极，且所述N阱和所述NMOS晶体管有源区沿着该多晶硅栅极的延伸方向排布；第一步，断开所述衬底接触与所述NMOS晶体管之间的金属连接，断开所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管之间的金属连接；第二步，沿着所述栅极延伸方向移动所述NMOS晶体管有源区，使得所述NMOS晶体管有源区和所述N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将所述NMOS有源区移动的距离记为L；第三步，将所述栅极长度减小L使得多晶硅超出所述NMOS有源区的长度与加固前的所述纳米CMOS版图一致；第四步，将第一步断开的所述衬底接触与所述NMOS晶体管之间的金属连接，所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管之间的金属连接进行恢复。