[发明专利]一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置有效
| 申请号： | 201710001932.1 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106783549B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;张明;郭治平;何利利;吴长树 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种砷化铟薄膜材料的制备方法及装置，属于半导体制造技术领域。本发明所述方法为：超声清洗单面抛光的单晶Si衬底并吹干，然后将吹干后的单晶Si衬底送入真空腔中加热去氢；加热砷单质使其挥发，让As气流经过单晶Si衬底表面，形成Si‑As键，活化单晶Si衬底表面，然后低温生长一层缓冲层；然后在单晶Si衬底衬底表面生长砷化铟薄膜；随炉冷却至室温后得到砷化铟薄膜材料。本发明所述方法对仪器设备要求低、成本低、易于操作且重复性较好；所得到的砷化铟薄膜的形貌、表面均匀平整，沿(111)取向择优生长，厚度为4.83μm，结晶质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化铟 薄膜 材料 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种砷化铟薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n（1）单晶Si衬底的清洗：清洗单面抛光的单晶Si衬底并吹干；具体过程为：先用丙酮在超声波的作用下进行清洗3~5 min；然后用无水乙醇在超声波作用下洗涤3~5 min；接着用NH
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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