[发明专利]一种光调控的垂直自旋场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201710003455.2 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106847907B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;刘波;刘文卿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为砷化镓基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具有垂直磁各向异性的铁磁性薄膜，用来产生垂直方向自旋的电子；铁磁性材料薄膜采用非晶铁磁性材料CoFeB薄膜，厚度为1‑2nm，通过MgO和Ta的界面效应来诱导出垂直磁各向异性。利用光产生的电子子旋方向与铁磁层自旋方向平行使，电阻最小产生电流最大，反之光生自旋电子自旋方向与铁磁性金属的自旋方向相反时，电阻最大产生电流最小。利用光学方法控制垂直自旋场效应晶体管开关，晶体管可同时具有信息存储与处理的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 垂直 自旋 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，其特征是，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为GaAs基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具有垂直磁各向异性的铁磁性薄膜，用来产生垂直方向自旋的电子；铁磁性材料薄膜采用非晶铁磁性材料CoFeB薄膜，厚度为1‑2nm，通过MgO和Ta的界面效应来诱导出垂直磁各向异性。
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