[发明专利]一种四进制磁性存储单元有效
| 申请号： | 201710003471.1 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106875959B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;杨龙;王君林;刘文卿 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11B5/64 | 分类号： | G11B5/64;G11B5/65;G11B5/851 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种四进制磁性存储单元，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四进制 磁性 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种四进制磁性存储单元，其特征是，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向；所述的磁性材料为Fe20Ni80薄膜，磁性基本存储单元为Fe20Ni80组成十字形结构，且通过电子束刻蚀得到十字形四进制基本存储单元。
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