[发明专利]钽酸锂单晶基板的制造方法有效
申请号: | 201710003835.6 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106948005B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 阿部淳 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B33/02 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种不需减压工序的,均质性高的体积电阻率为1×10 |
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搜索关键词: | 钽酸锂单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种钽酸锂单晶基板的制造方法,所述钽酸锂单晶基板的体积电阻率为1×1010Ω·cm以上,1×1012Ω·cm未满,其特征在于,包括体积电阻率为1×1012Ω·cm以上,并且将单区域构造的钽酸锂单晶基板在常压下,氢氛围中,400℃以上,居里温度以下的温度进行热处理的第一工序和,将在该第一工序处理的钽酸锂单晶基板,与碳酸锂一起,常压下,氢或氮氛围中,400℃以上,居里温度以下的温度进行热处理的第二工序。
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