[发明专利]平面栅超级结器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种平面栅超级结器件的制造方法，包括步骤：形成超级结；形成场氧化层；在场氧化层中进行氩离子注入；形成定义有源区的光刻胶图形；对场氧化层进行湿法刻蚀，湿法刻蚀使场氧化层在有源区边界处形成平缓的倾斜侧面；去除光刻胶图形，形成牺牲氧化层并湿法去除；生长栅氧化层和多晶硅层，多晶硅层会沿场氧化层的倾斜侧面爬坡且不形成隆起结构。本发明能够消除多晶硅栅在场氧化层的倾斜侧面爬坡时形成的隆起结构，从而能提高器件的良率和可靠性。

主权项

1.一种平面栅超级结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在半导体衬底表面形成由P型薄层和N型薄层交替排列组成的超级结；/n步骤一包括如下分步骤：/n步骤11、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有N型外延层；/n步骤12、采用光刻刻蚀工艺在所述N型外延层中形成多个沟槽；/n步骤13、采用外延生长中在所述沟槽中填充P型外延层；/n由填充于沟槽中的P型外延层组成P型薄层，由各所述P型薄层之间的N型外延层组成N型薄层；所述P型薄层和所述N型薄层交替排列组成所述超级结；/n步骤二、在形成有所述超级结的所述半导体衬底表面形成场氧化层；/n步骤三、进行氩离子注入将氩注入到所述场氧化层中；/n步骤四、采用有源区的光罩形成定义有所述有源区的光刻胶图形；/n步骤五、以所述光刻胶图形为掩模对所述场氧化层进行刻蚀，该刻蚀仅采用湿法刻蚀；由所述湿法刻蚀后的所述场氧化层围绕形成所述有源区；所述湿法刻蚀使所述场氧化层在所述有源区边界处形成平缓的倾斜侧面；/n步骤六、去除所述光刻胶图形，采用形成牺牲氧化层并湿法去除的方法对所述半导体衬底表面进行处理；/n步骤七、生长栅氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述有源区的所述栅氧化层表面并沿着所述场氧化层的倾斜侧面爬坡并延伸到所述场氧化层上；/n结合步骤三中的氩离子注入和步骤五的湿法刻蚀使所述多晶硅层在所述场氧化层的倾斜侧面爬坡延伸时不形成隆起结构；/n步骤七之后还包括步骤：/n采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅层进行刻蚀同时形成多晶硅栅和多晶硅延伸结构；所述多晶硅栅位于所述有源区中的所述N型薄层顶部并沿着所述N型薄层的长度方向延伸；所述多晶硅延伸结构位于所述场氧化层顶部，所述多晶硅栅延伸到所述有源区边缘后爬过所述场氧化层的倾斜侧面和所述多晶硅延伸结构相连接。/n