[发明专利]台阶形貌的工艺方法在审
| 申请号： | 201710003974.9 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106876321A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李豪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。本发明台阶形貌的工艺方法，在对具有台阶形貌的第二层膜进行刻蚀之前，先进行化学机械研磨，使其台阶消失，表面平坦，然后再进行干法刻蚀，这样研磨之后的台阶处第二层膜质不会偏厚，干法刻蚀时能保证原台阶处的第二层膜刻蚀干净，不会导致第二层膜质残留所带来的其他问题。 | ||
| 搜索关键词： | 台阶 形貌 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种台阶形貌的工艺方法，在具有台阶形貌的第一层膜上覆盖淀积第二层膜，淀积的第二层膜同样复制形成有台阶，其特征在于：对第二层膜先进行化学机械研磨，将第二层膜的台阶研磨掉，使第二层膜的表面变成平面而不再具有台阶之后，再对剩余的第二层膜进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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