[发明专利]一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法

摘要

本发明提供一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法，所述碳纳米管束场效应晶体管阵列包括：源极材料层、漏极材料层以及连接于所述源极材料层与漏极材料层之间的碳纳米管束阵列；所述碳纳米管束阵列包括若干分立设置的碳纳米管束单元，其中，所述碳纳米管束单元的轴向第一端与所述源极材料层连接，所述碳纳米管束单元的轴向第二端与所述漏极材料层连接；所述碳纳米管束单元被栅极结构所包围。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列能够耐受更高的操作电压及操作电流，能够应用于大功率器件。并且本发明采用环栅结构，可以提高栅极对沟道的操控能力。本发明的碳纳米管束场效应晶体管阵列的制造方法具有工艺步骤简单的特点，有利于降低生产成本。

主权项

1.一种碳纳米管束场效应晶体管阵列，其特征在于，包括：源极材料层；漏极材料层，形成于所述源极材料层上方；碳纳米管束阵列，连接于所述源极材料层与所述漏极材料层之间；所述碳纳米管束阵列包括若干分立设置的碳纳米管束单元，其中，所述碳纳米管束单元的轴向第一端与所述源极材料层连接，所述碳纳米管束单元的轴向第二端与所述漏极材料层连接；栅极结构，形成于所述碳纳米管束阵列中各个碳纳米管束单元之间，且所述栅极结构与所述源极材料层之间通过第一绝缘层隔离，所述栅极结构与所述漏极材料层之间通过第二绝缘层隔离；其中，所述栅极结构包括栅极介质层及栅极材料层，所述栅极介质层包围所述碳纳米管束单元的外侧面，所述栅极材料层包围所述栅极材料层外侧面。