[发明专利]NLDMOS集成器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种NLDMOS集成器件及其制备方法。其括：P型单晶硅衬底，其内部形成有第一N阱区、第二N阱区和P阱区；P型单晶硅衬底上设置有若干NLDMOS集成器件单元，包括NLDMOS单元、NMOS单元和PMOS单元；NLDMOS单元、NMOS单元和PMOS单元均包括设置在衬底上的栅氧化层和场氧化层；NLDMOS单元包括源极、漏极、接地极和栅极，NMOS单元和PMOS单元包括源极、漏极和栅极。上述NLDMOS集成器件，直接在CMOS工艺中集成，其做在CMOS所用的普通P型单晶硅衬底上，不需外延层，大大降低了成本，进一步扩展其应用范围。

主权项

1.一种NLDMOS集成器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供P型单晶硅衬底；在所述P型单晶硅衬底上依次形成第一N阱区、第二N阱区和P阱区；其中，所述第一N阱区形成过程为：在所述P型单晶硅衬底上沉积垫氧化层和氮化硅层，利用光刻、蚀刻技术定义所述第一N阱区作为PMOS单元的N阱区，并对所述N阱区进行离子注入掺杂；所述第二N阱区形成过程为：去除定义所述第一N阱区时的光阻，利用光刻、蚀刻技术定义出所述第二N阱区作为NLDMOS单元的漂移区，并对所述漂移区进行离子注入掺杂，掺杂注入剂量为2E12～5E12的磷；所述P阱区形成过程为：将形成的所述第一N阱区和第二N阱区退火处理，并去除所述第一N阱区和第二N阱区上的所述氮化硅层，整面做所述P阱区的离子注入掺杂，且所述第一N阱区和第二N阱区的区域在去除其上形成的所述氮化硅层后，生长有二氧化硅，从而未有P型离子注入进去；形成OD区和P‑field区，在所述P型单晶硅衬底上生长场氧化层和栅氧化层，并在所述栅氧化层上形成NMOS栅极、PMOS栅极和NLDMOS栅极，并形成图案化的N+区和P+区；在所述N+区和P+区挖孔形成接触通孔，在所述接触通孔内溅镀金属层，形成引线和打线窗口。