[发明专利]一种逐层调节二维材料带隙的方法在审
申请号: | 201710005870.1 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN106683982A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 李海;杨鹏;吴诗语;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京知识律师事务所32207 | 代理人: | 陈卓 |
地址: | 210009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法,我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料置于等离子清洗机中,通入一定量的气体(如:氧气等)。通过调节目标样品与等离子发射中心的距离(如:5~500mm),等离子清洗机的工作功率(5~50W)和时间(如:5~400s)来实现多层二维材料逐层均质刻蚀的目的。该方法通过对二维材料由多层向单层厚度的逐层均质调节,有效地实现了对其带隙带隙的调节,深刻地影响了目标样品的光电性能。此方法实施便捷、工艺稳定、效果显著,在光电探测、生物传感等领域均具有巨大的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 调节 二维 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种逐层调节二维材料带隙的方法,其特征在于:包括以下步骤:1)选取性能稳定的基底材料,将基底进行预处理,使其成为富含羟基的清洁基底材料;2)获取目标二维材料样品,置于所述基底上;并且对基底上的二维材料样品进行光学衬度差、常规拉曼、光致发光光谱表征;3)将所述二维材料样品连同基底置于等离子清洗机机腔内;4)向等离子清洗机内通入一定容量的气体,使目标二维材料处于氧气气体中;5)选择等离子清洗机的工作功率;6)选择等离子清洗机的工作时间;7)关闭等离子清洗机,在性质稳定的保护气的氛围下取出目标二维材料样品;8)再对目标二维材料样品进行光学衬度差、常规拉曼、光致发光光谱表征;9)进行步骤8)之后,重复步骤4)至步骤8)的操作,即可逐层的进行二维材料样品的带隙调节。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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