[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。

主权项

一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，在实施了该初期改质层形成工序之后，与该初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线照射激光光线，由此形成次期改质层，该次期改质层用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长，在该次期改质层形成工序中，将激光光线的聚光点定位在从初期改质层的正上方向与X轴方向垂直的Y轴方向稍微产生了偏置的位置上而进行照射，由此对从初期改质层朝向晶片的正面成长的裂纹的方向进行限制。