[发明专利]一种灰阶掩膜版及利用其形成的显示基板、曝光装置在审
申请号: | 201710007998.1 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN106681101A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 胡伟;金熙哲;刘信;李志勇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种灰阶掩膜版及利用其形成的显示基板、曝光装置,用以解决彩膜基板制作过程中,常规掩膜版制作的膜层边缘的倾斜角度较大的问题。该灰阶掩膜版包括掩膜版主体,以及至少一个曝光区;曝光区包括位于中间且完全透光的中心区域,以及分别设置在中心区域两侧且部分透光的边缘区域;边缘区域的透光强度小于中心区域的透光强度。本发明在灰阶掩膜版的曝光区设置有透光强度渐变的多个区域,位于中间位置且透光强度最大的中心区域能够形成膜层的主体部分,透光强度较小的边缘区域能够形成膜层的倾斜坡度部分,因而可以使待曝光的膜层的边缘更平缓,同时能够通过调节曝光量得到更小的线宽和更大的线宽调节范围,有利于残影等不良的改善。 | ||
搜索关键词: | 一种 灰阶掩膜版 利用 形成 显示 曝光 装置 | ||
【主权项】:
一种灰阶掩膜版,其特征在于,包括:掩膜版主体,以及设置在所述掩膜版主体上的至少一个曝光区;其中,所述曝光区包括位于中间位置且完全透光的中心区域,以及分别设置在所述中心区域两侧且部分透光的边缘区域;所述中心区域对应形成待曝光图形的主体部分,所述边缘区域对应形成所述待曝光图形中具有一定倾斜角度的边缘斜坡部分;所述边缘区域的透光强度小于所述中心区域的透光强度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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