[发明专利]基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法有效
申请号: | 201710010523.8 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN106653640B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李宏德 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明一种基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法,利用每一片晶圆的每一片晶片中内置的CHIPID模块,通过CHIPID模块中的自定义字段的设置,对目标时间参数的调整量进行直接赋值写入,能够在前端测试或是后端测试前,就确定所有晶圆中每个晶片中需要进行调整的时间参数,以及调整量;因此对一个晶圆只需要根据晶圆厂提供的工艺分布,或者是进行一次监控测试得到的晶圆分布,利用CHIPID模块中自定义字段的赋值一次,就能够在后续的前端测试或是后端测试时,直接对所需要的时间参数进行调整,节省了对每个晶片进行监控测试的时间,极大的提高了工作效率,同时避免了多次监测带来的调整偏差,降低测试成本,提高晶圆芯片良品率。 | ||
搜索关键词: | 基于 位置 晶片 时间 参数 调整 方法 | ||
【主权项】:
1.基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法,其特征在于,包括如下步骤,步骤1,从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布,得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布;步骤2,根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布,得到需要调整的目标时间参数的测试结果,并将测试结果与规格要求值进行比较,确定目标时间参数的预设调整量;步骤3,在前端测试中,将目标时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值,从而将目标时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中;步骤4,在前端测试中,读取CHIPID模块中自定义字段的赋值,获取步骤2中设置的目标时间参数的预设调整量,根据得到的预设调整量熔断目标时间参数对应的FUSE,完成目标时间参数的调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造