[发明专利]CMOS纳米线结构

摘要

描述了互补金属氧化物半导体纳米线结构。例如，第一半导体器件包含设置于基底上方的第一纳米线。所述第一纳米线在所述基底上方的第一距离处具有中点，并且所述第一纳米线包含分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的源区和漏区。第一栅电极叠层完全围绕所述第一纳米线的所述分离的沟道区。所述半导体结构还含第二半导体器件。所述第二半导体器件包含设置于所述基底上方的第二纳米线。所述第二纳米线在所述基底上方的第二距离处具有中点，并且所述第二纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的源区和漏区。所述第一距离不同于所述第二距离。第二栅电极叠层完全围绕所述第二纳米线的所述分离的沟道区。

主权项

1.一种半导体结构，包括：第一半导体器件，包括：设置于基底上方的第一纳米线，所述第一纳米线在所述基底上方的第一距离处具有中点而在所述第一纳米线与所述基底之间没有任何介入纳米线，并且所述第一纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的分离的源区和漏区，其中，所述第一纳米线的一部分是非分离的；第一栅电极叠层，完全围绕所述第一纳米线的所述分离的沟道区；以及第一对接触部，完全围绕所述第一纳米线的所述分离的源区和漏区；以及与所述第一半导体器件横向相邻的第二半导体器件，所述第二半导体器件包括：第二纳米线，所述第二纳米线设置于所述基底上方而在所述第二纳米线与所述基底之间没有任何介入纳米线，所述第二纳米线在所述基底上方的第二距离处具有中点，并且所述第二纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的两侧上的分离的源区和漏区，其中，所述第一距离不同于所述第二距离，其中，所述第二纳米线的一部分是非分离的；第二栅电极叠层，完全围绕所述第二纳米线的所述分离的沟道区；以及第二对接触部，完全围绕所述第二纳米线的所述分离的源区和漏区。