[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板在审
| 申请号： | 201710010837.8 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108288606A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 唐叶 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/10;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，使开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管具有不同的电特性。包括：采用非晶化半导体形成有源区；在形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的过程中，使开关薄膜晶体管沟道形成区域与基板间的绝缘层厚度大于驱动薄膜晶体管沟道形成区域与基板间绝缘层的厚度；将开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区由非晶化转变为晶化。本发明的薄膜晶体管阵列基板及制造方法和显示面板，通过控制开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管沟道下方的绝缘层的厚度，改变不同类型薄膜晶体管在晶化过程中的晶粒结构从而改变迁移率，进而控制相应类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅，最终实现不同特性的薄膜晶体管，提升显示器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动薄膜晶体管 开关薄膜晶体管 薄膜晶体管 绝缘层 薄膜晶体管阵列基板 显示面板 沟道形成区域 非晶化 基板 源区 制造 半导体形成 亚阈值摆幅 晶化过程 晶粒结构 显示器件 电特性 迁移率 沟道 晶化 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：采用非晶化半导体形成有源区；在形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的过程中，使开关薄膜晶体管沟道形成区域与基板间的绝缘层厚度大于驱动薄膜晶体管沟道形成区域与基板间绝缘层的厚度；将开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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