[发明专利]极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法

摘要

一种极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法。该三维接触孔掩模从下至上依次由基底(1)、多层膜(2)、吸收层(3)三个主要部分构成。所述的接触孔掩模其吸收层(3)中的图形为矩形开孔图形。该方法首先将三维接触孔掩模按照分离变量法分解成过接触孔矩形图形中心且平行于矩形长宽两方向的对应纵截面上的二维掩模，然后采取严格电磁场仿真的波导法对两二维掩模进行衍射谱仿真，最后将仿真得到的两二维掩模衍射谱相乘得到三维接触孔掩模衍射谱。本发明可快速准确的仿真极紫外光刻三维接触孔掩模的衍射谱。

主权项

一种极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法，该极紫外光刻三维接触孔掩模从下至上依次包括基底、多层膜和吸收层，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)选择吸收层具有矩形开孔图形的极紫外光刻三维接触孔掩模，以该吸收层图形所在面为xy面，沿z轴从下至上依次堆叠分布基底、多层膜和吸收层；采用分离变量降维法将待仿真极紫外光刻三维接触孔掩模分解成位于两相互垂直平面上的二维掩模，即过该矩形开孔中心点的xz截面的二维掩模和yz截面的二维掩模；(2)给定待仿真极紫外光刻三维接触孔掩模照明光的入射角和方位角θ，计算对应两二维掩模的入射光角，公式如下：其中，为xz截面二维掩模的入射角，为yz截面二维掩模的入射角，两二维掩模的方位角皆为0°；(3)采用严格电磁场仿真的波导法仿真xz截面的二维掩模，得到其衍射谱(x±i)，采用相同方法仿真yz截面的二维掩模，得到其衍射谱(y±j)，其中i＝1,2,3,…,m,j＝1,2,3,…,n,m、n为两方向二维衍射谱最高级次，取值高于周期与波长比值的2倍；(4)将仿真得到的两二维掩模衍射谱(x±i),(y±j)相乘得到三维接触孔掩模衍射谱,如下述公式所示：其中，kron*为克罗尼克(kronecker)矩阵乘符号。